| Карточка | Таблица | RUSMARC | |
|
|
Данилов, В. С. Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов: учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. — Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов, 2025-02-05. — Электрон. дан. (1 файл). — Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2017. — 418 с. — Гарантированный срок размещения в ЭБС до 05.02.2025 (автопролонгация). — Книга находится в премиум-версии IPR SMART. — Текст. — электронный. — <URL:https://www.iprbookshop.ru/91724.html>.Дата создания записи: 21.09.2022 Тематика: полупроводниковый элемент; биполярный транзистор; МОП-транзитор; полевой СВЧ-транзистор; барьер Шоттки; арсенид галлия; гетероструктурный транзистор; уравнение Пуассона; уравнение непрерывности; тепловое равновесие УДК: 621.382 ББК: 32.85 Коллекции: ЭБС "IPRbooks" Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |