Card | Table | RUSMARC | |
Шулаев, Никита Анатольевич. Технология изготовления и исследование электрических характеристик мемристора на основе оксида гафния: выпускная квалификационная работа (бакалаврская работа) студента 4 курса очной формы обучения по направлению подготовки 03.03.02 Физика, профиль "Фундаментальная физика" / Н. А. Шулаев; научный руководитель С. Ю. Удовиченко; Тюменский государственный университет, Физико-технический институт, Кафедра прикладной и технической физики. — Тюмень, 2022. — 1 файл (2,21 Мб): рис., табл. — Загл. с титул. экрана. — Приказ № 2736-22 от 06.07.2022 г. по Тюменскому государственному университету о выпуске и выдаче дипломов. — Согласие от 27.06.2022 г. на размещение ВКР Н. А. Шулаева. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:https://library.utmn.ru/dl/VKR_Tyumen/VKR_2022/FTI/ShulaevNA_2022.pdf>. — Текст: электронныйRecord create date: 9/14/2022 Subject: Физика; оксид гафния; мемристоры; вычислительные технологии; электронно-лучевая литография; электронный микроскоп Collections: Выпускные квалификационные работы Allowed Actions: Read Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Цель работы : экспериментальное исследование электрических характеристик мемристора на основе тонкой плёнки оксида гафния, полученных с помощью комплекса «НаноФаб-100».
Table of Contents
- 451b465fc5d7173908ed8d90d0a83ff6766d0ef9a9176c375e8a0ff083a0d889.pdf
- 973a8516b8ee750bc5983f60da6d6c7f9c5103cd95534cf3e543413fe9141a6a.pdf
Usage statistics
|
Access count: 23
Last 30 days: 1 Detailed usage statistics |